高压微秒脉冲电源

HPNS系列高压微秒脉冲电源

TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技术正成为AI算力芯片先进封装的核心基材，玻璃基板凭借低损耗、抗翘曲、支持大尺寸面板级生产、材料成本远低于传统硅基板等优势，成为下一代先进封装材料的理想之选。

高性能脉冲电源，是提升TGV-PVD工艺窗口的重要基础。

TGV-PVD工艺关注重点涵盖有：

• 通孔内壁覆盖率

• 膜层致密性与附着力

• 沉积均匀性

• 低颗粒与低缺陷

• 工艺重复性与量产稳定性

在TGV玻璃通孔金属化过程中，PVD的核心任务是沉积阻挡层/粘附层（防止铜扩散并增强附着力）。

TGV深径比可达15:1甚至更高，对镀膜均匀性提出极高要求，传统电源和标准化电源往往难以完全匹配复杂工艺需求。

我们面向 TGV 领域 PVD 工艺，提供尖端高压微秒脉冲电源定制化服务。

可根据客户的靶材类型、腔体结构、工艺气氛、通孔尺寸、沉积目标和自动化接口，进行专属电源设计与系统集成。

核心技术优势：

•优势一：高能量密度脉冲输出
支持高峰值功率脉冲输出，提高等离子体密度，改善膜层致密性和附着力。

•优势二：快速灭弧保护
快速识别并关断异常放电，降低颗粒、弧坑和膜层缺陷风险。

•优势三：可编程波形控制
支持多段脉冲和工艺配方，为不同靶材、气氛和沉积阶段提供精细调节能力。

•优势四：面向TGV工艺适配
可围绕玻璃基板、通孔结构、高深宽比和金属化需求优化输出特性。

•优势五：开放式系统集成
支持多种通讯协议和同步方式，方便集成到 PVD 主机、自动化产线和研发平台。

核心参数：