高压纳秒脉冲电源

HPNS系列高压纳秒脉冲电源

HPNS系列纳秒高频高压脉冲电源，是面向面板级、晶圆级TGV玻璃通孔干法刻蚀、高深宽比微孔修整、等离子体精准偏置场景定制的工业级高频脉冲发生系统。

行业主流SiC MOS多管串联高压开关架构，无法适配TGV高频、纳秒陡沿、高压容性负载严苛工况，器件炸管故障频发。核心原因是SiC MOS栅氧可靠性不足，长期高频应力会引发阈值电压漂移、开关特性劣化，造成多管串联均压失衡、脉冲波形畸变，最终导致器件击穿损坏，设备稳定性差，无法满足TGV高良率、大批量连续量产需求。

针对行业痛点，我司摒弃传统分立SiC MOS串联方案，依托独创专利技术，采用自研专用高压高频功率管+合封集成智能驱动架构，从底层彻底解决高频陡沿、高压容性负载场景下器件参数漂移、性能老化、失效炸管等核心问题。

设备功率单元采用隔离高压变压器拓扑结构，相较行业多级倍压、开关电容高压方案，具备低EMI、低输出纹波、高运行可靠性、量产成本可控、长期工况稳定性优异等优势。

产品可输出高规整度方波脉冲，适配高精度等离子工艺，支持300kHz～500kHz高频连续稳定运行。可配套提供自研射频电源、全自动阻抗匹配器，实现TGV干法刻蚀整套工艺电源一站式国产化配套交付。

产品核心优势：

1.原创器件路线：自研合封集成驱动功率器件，彻底解决SiC方案阈值漂移、均压失衡、频繁炸管的量产痛点；

2.工艺适配性强：50ns超陡脉冲下降沿+高规整方波输出，精准匹配TGV高深宽比精密刻蚀工艺需求；

3.大功率高冗余设计：最高100kW额定功率输出，全面覆盖各规格面板、晶圆基板量产工况；

4.电源架构稳定可靠：高压隔离变压器方案，低纹波、低EMI干扰、故障率低，兼具成本与可靠性优势；

5.一站式交付：脉冲电源+射频电源+阻抗匹配器成套供货，配套完整技术支持，便于设备快速集成落地。

核心参数：